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I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IX2127
1.6 Electrical Characteristics
Unless otherwise specified, the test conditions are: V CC =V BS =12V; V CC , IN, FAULT, and Leakage voltages and
currents are referenced to COM; V B , HO, and CS voltages and currents are referenced to V S .
1.6.1 Po w er S u pply Specifications
Parameter
Q u iescent V CC S u pply C u rrent
Q u iescent V BS S u pply C u rrent
V BS UVLO Positi v e-Going Threshold
V BS UVLO Negati v e-Going Threshold
Offset S u pply Leakage C u rrent
Conditions
V IN =0V
V IN =0V
-
-
V B =V S =600V
Symbol
I QCC
I QBS
V BS_UV+
V BS_UV-
I LKG
Minimum
-
-
6.8
6.3
-
Typical
280
500
7.7
7.2
-
Maximum
400
1000
8.6
8.1
2
Units
? A
V
? A
1.6.2 Gate Dri v e and Sh u tdo w n Specifications
Parameter
High Le v el O u tp u t Voltage, V B -V HO
Lo w Le v el O u tp u t Voltage, V HO
Conditions
I HO =0A
I HO =0A
Symbol
V OH
V OL
Minimum
-
-
Typical
-
-
Maximum
100
100
Units
mV
O u tp u t Short Circ u it P u lsed C u rrent
V HO =0V, V IN =5V, PW<10 ? s,
R GATE =20 ? * (see Fig u re 1)
V HO =12V, V IN =0V, PW<10 ? s,
R GATE =20 ? * (see Fig u re 1)
I HO+
I HO-
-200
420
-250
500
-
-
mA
CS Inp u t, Positi v e-Going Threshold
“High” CS Bias C u rrent
V CC =9V to 12V
V CS =3V
V CS =0V
V CS_TH+
I CS+
I CS-
180
-
-
260
-
-
320
1
-1
mV
? A
* R GATE value must be 20 ? or greater.
1.6.3 Logic I/O Specifications
Parameter
Logic “1” Inp u t Voltage
Logic “0” Inp u t Voltage
Logic “1” Inp u t Bias C u rrent
Logic “0” Inp u t Bias C u rrent
FAULT On-Resistance
Conditions
V CC =9V to 12V
V CC =9V to 12V
V IN =5V
V IN =0V
-
Symbol
V IH
V IL
I IN+
I IN-
FLT, R ON
Minimum
3.0
-
-
-
-
Typical
-
-
2.6
-
72
Maximum
-
0.8
15
-1
-
Units
V
? A
?
1.6.4 Thermal Specifications
Parameter
Conditions
Symbol
Minimum
Typical
Maximum
Units
Thermal Resistance, J u nction to Am b ient:
8-Lead DIP
8-Lead SOIC
-
R ? JA
-
-
-
-
125
200
°C/W
R03
www.ixysic.com
5
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